叠氮化铅半导体桥点火研究

作     者：马鹏 朱顺官 徐大伟 张琳 张垒 陈厚和 MA Peng;ZHU Shun-guan;XU Da-wei;ZHANG Lin;ZHANG Lei;CHEN Hou-he

作者机构：南京理工大学化工学院江苏南京210094 海军驻锦州军事代表室辽宁锦州121000 

出 版 物：《火工品》 (Initiators & Pyrotechnics)

年 卷 期：2010年第1期

页      面：10-13页

学科分类：08[工学] 082603[工学-火炮、自动武器与弹药工程] 0826[工学-兵器科学与技术] 

主　　题：半导体桥 等离子体点火 非等离子体点火 点火能量 

摘      要：利用半导体桥(Semiconductor Bridge,SCB)作为发火元件点燃叠氮化铅(Lead Azide,LA),获得了其电压电流曲线,通过分析其电压电流曲线和烧蚀后的桥面,发现两种不同的点火机理:当LA的颗粒较大时(45μm),利用SCB产生的等离子体将药剂点燃;当LA的颗粒较小时(1μm),SCB不产生等离子体就可以将药剂点燃。非等离子体点火时,其发火电压约为等离子体点火时的20%,降低了SCB的点火能量。此外,压药压力对非等离子体点火的最低发火电压有一定影响,80MPa时其发火电压最低。