通过退火研究ZnGeP_2晶体中点缺陷与红外透过率的关系

作     者：程江 朱世富 赵北君 赵欣 陈宝军 何知宇 杨慧光 孙永强 张羽 

作者机构：四川大学材料科学系成都610064 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2008年第33卷第S1期

页      面：372-375页

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 080201[工学-机械制造及其自动化] 

基　　金：国家自然科学基金(50672061 50732005) 国家"863"高技术研究发展计划(2007AA03Z443) 

主　　题：磷锗锌 点缺陷 退火 红外透过率 

摘      要：以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和I-V曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω.cm。经定向切割后,得到10mm×10mm×2mm的ZnGeP2晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP2同成分粉末的氛围,在550℃进行退火处理。结果表明,P气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显;而在ZnGeP2粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2～10μm波段则提高到近60%左右,说明VZ-n对该条件下生长的ZnGeP2单晶红外透过率影响较大,而V0P的影响较小。