β-BaB_2O_4晶体中的生长缺陷

作     者：陈福生 胡小波 潘恒福 滕冰 张承乾 郭明 江怀东 刘宏 王继扬 

作者机构：山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2000年第29卷第S1期

页      面：251-页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

主　　题：β-BaB_2O_4晶体 位错 包裹体 同步辐射形貌术 

摘      要：β BaB2 O4晶体已广泛应用在非线性光学领域 ,如光的混频和倍频。由于它具有较宽的透明范围 ( 2 0 0～ 35 0 0nm)和较强的双折射 ,可以在几个不同的波长实现位相匹配。β BaB2 O4存在两种不同的相 :高温α相 (α BBO)和低温 β相 ( β BBO) ,相变温度为 92 5℃。高温α相可以由Czochralski法获得 ,而低温 β相则通常采用顶部籽晶熔盐法生长。为避免形成α相 ,我们采用顶部籽晶熔盐法生长了 β BaB2 O4晶体。为研究该晶体中的生长缺陷 ,我们有意挑选出生长质量较差的晶体 ,并用同步辐射白光形貌术检测了该晶体中的生长缺陷。通过观察发现 :尽管采用顶部籽晶熔盐法 ,晶体中的部分区域仍存在α相。因为在同步辐射白光形貌术中 ,如果仔细观察晶体的Laue衍射花样 ,就会发现 :在较强的β相的衍射花样中 ,叠加有较弱的α相的衍射斑点。晶体中的主要缺陷是包裹体和由其诱发产生的位错 ,位错的密度较大 ,但单个位错的Burgers矢量难于确定。此外在 ( 1 1 2 0 )晶片中 ,我们还发现类似于晶界的平面型缺陷。对应于不同的衍射矢量 ,这些平面型缺陷在X射线形貌像中表现出不同的衍射衬度特征。根据这些特征 ,我们可以断定 :由这些平面型缺陷所造成的晶格应变与生长条纹或生长扇形界相同 ,即 :应变矢量正交于缺陷平面。