6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究

作     者：林涛 陈治明 李佳 李连碧 李青民 蒲红斌 

作者机构：西安理工大学电子工程系西安710048 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2008年第57卷第9期

页      面：6007-6012页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60576044) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20040700001) 中国博士后科学基金(批准号:20070411137)资助的课题~~ 

主　　题：碳化硅 化学气相沉积 反相边界 岛状生长 

摘      要：采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(0001)面上生长了不同温度(1100—1250℃),不同GeH4流量比(6.3%—25%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化.扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长逐渐过渡到层状生长模式,同时伴有岛形状和密度的变化.X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中的Ge含量约为0.15%—0.62%,在其他参数不变的情况下,样品的Ge含量随GeH4流量比的增大而升高,随生长温度的降低而升高.此外还定性分析了样品中的反相边界(APB)缺陷.