多热源SiC合成炉温度场变化规律的模拟与计算
Theory and Application of SiC Synthesis by Multi-heat-source Furnace作者机构：西安科技大学材料工程系西安710054
出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)
年 卷 期：2005年第20卷第1期
页 面：199-204页
核心收录：
学科分类：0711[理学-系统科学] 07[理学] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 081101[工学-控制理论与控制工程] 0811[工学-控制科学与工程] 0702[理学-物理学] 071102[理学-系统分析与集成] 081103[工学-系统工程]
基 金：国家自然科学基金(50174046)宁夏自治区科技攻关项目
摘 要：碳化硅合成炉具有平面非稳态有内热源的温度场特点,利用ANSYS软件对多热源炉进行温度场数值计算.以面为对象分析了单个热源对整体温度场的贡献,以点为对象研究了面的中心点温度随时间的变化规律,以线为对象研究了面的中心线的温度随距离的变化规律.研究发现温场的叠加和热源之间的屏蔽是多热源炉节能降耗增产的原因.
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