一种新型双吸收层光探测器的设计和分析
Design and Analysis of Mushroom Dual-absorption Layer Photodetector作者机构：北京邮电大学信息光子学与光通信研究院北京100876
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：2015年第36卷第1期
页 面：56-58,62页
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
基 金：国际科技合作项目(2011DFR11010) 国家自然科学基金项目(61274044) 高等学校博士学科点专项科研基金项目(20110005120018)
摘 要：PIN光探测器是光纤通信系统和网络中的关键器件。量子效率和响应带宽是衡量光探测器性能的重要指标,并且这两个参数都与器件的吸收层密切相关。为了提高光探测器的性能,提出了一种新型双吸收层光探测器(即PINIP结构),利用侧腐蚀工艺减小双吸收层光探测器吸收层的结面积。对其性能进行了理论研究,结果表明该器件的量子效率达到了93%,同时响应带宽达到了26GHz,比传统结构的双吸收层光探测器提高了44%。
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