PC型HgCdTe探测器的记忆效应
THE MEMORY EFFECT OF PC TYPE HgCdTe DETECTORS作者机构：国防科技大学应用物理系
出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期：1998年第17卷第4期
页 面：317-320页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
基 金：国家863高技术基金
摘 要：通过测量ＰＣ型ＨｇＣｄＴｅ探测器的动态响应，发现在工作温度（７７Ｋ）下，激光辐照后，探测器的电导率产生改变（记忆），电阻变化率提高，这种现象在工作温度下能长期保持．当升温（至室温）后，记忆功能消失．本文对这种现象进行了多方面的实验研究和机理的分析．
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