衬底温度对In_2S_3薄膜结构及其性能的影响

作     者：张啸 王华 许积文 杨玲 任明放 ZHANG Xiao;WANG Hua;XU Ji-wen;YANG Ling;REN Ming-fang

作者机构：桂林电子科技大学材料科学与工程学院桂林541004 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2011年第40卷第2期

页      面：415-418,434页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：广西研究生教育创新计划(2010105950809M37)资助项目 

主　　题：超声喷雾热解 In2S3薄膜 衬底温度 禁带宽度 

摘      要：采用超声喷雾热解法,在玻璃基底上一步合成了In2S3薄膜。研究了衬底温度对In2S3薄膜的结构、表面形貌、电学和光学性能影响。结果表明:所制备的In2S3薄膜均具有沿(220)面择优取向生长特性且无其他杂相,衬底温度对薄膜的均匀性、致密度、结晶程度均有明显影响,并因此影响薄膜的光电性能。薄膜的导电性随着衬底温度的升高迅速增强,但是在衬底温度为350℃时有所降低。衬底温度为300℃所制备的薄膜在可见光区透光率最高达到90%以上,禁带宽度达到2.43 eV。