硅基掺铒二氧化钛薄膜发光器件的电致发光:共掺镱的增强发光作用
Electroluminescence from silicon-based light-emitting device with erbium-doped TiO2 films:Enhancement effect of ytterbium codoping出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期:2019年第68卷第12期
页 面:109-115页
核心收录:
学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0803[工学-光学工程] 0704[理学-天文学]
基 金:国家自然科学基金(批准号:61721005)资助的课题~~
摘 要:在我们以前的工作(Zhu C, Lü C Y, Gao Z F, Wang C X, Li D S, Ma X Y, Yang D R 2015 Appl.Phys.Lett.107 131103)中,利用掺铒(Er)二氧化钛薄膜(TiO2:Er)作为发光层,实现了基于ITO/TiO2:Er/SiO2/n+-Si结构的发光器件的Er相关可见及近红外(约1540 nm)电致发光.本文将镱(Yb)共掺入TiO2:Er薄膜中,显著增强了Er相关可见及近红外电致发光.研究表明,一定量Yb的共掺会导致TiO2:Er薄膜由锐钛矿相转变为金红石相,从而使得Er3+离子周围晶体场的对称性降低.此外,Yb3+离子比Ti4+离子具有更大的半径,这使TiO2基体中Er3+离子周围的晶体场进一步畸变.晶体场的对称性降低及畸变使得Er3+离子4f能级间的跃迁概率增大.由于上述原因,Yb在TiO2:Er薄膜的共掺显著增强了相关发光器件的电致发光.