MEMS铜基微同轴传输线性能仿真及测试

作     者：胡松祥 王建 史光华 徐达 周彪 Hu Songxiang;Wang Jian;Shi Guanghua;Xu Da;Zhou Biao

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2019年第56卷第8期

页      面：644-648,673页

学科分类：08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 081102[工学-检测技术与自动化装置] 0811[工学-控制科学与工程] 

主　　题：微电子机械系统(MEMS) 微同轴传输线 直通-反射-传输线(TRL)校准 插损 隔离度 

摘      要：研究了一种新型的MEMS超宽带铜基微同轴传输系统。设计了特性阻抗为50Ω铜基微同轴传输线结构,其仿真电压驻波比(VSWR)在DC^110 GHz内低于1.15。且设计了可用于探针台测试和芯片金丝键合的地-信号-地(GSG)转接结构,仿真插入损耗低于0.1 dB。采用该微同轴结构和GSG转接结构设计了用于探针台测试的直通-反射-传输线(TRL)校准套件,利用薄膜工艺加工得到了铜基微同轴传输线及校准件实物,通过实验测试得到该微同轴传输线DC^40 GHz最大插入损耗为0.35 dB/cm,通过仿真拟合推算其110 GHz下的插入损耗约为0.65 dB/cm,该插入损耗性能显著优于平面印刷传输线,同时,该微同轴传输线的体积远小于波导传输结构,可以用于研制小型化、高性能、高集成密度微波/毫米波系统。