热扩散阴极微区热电子发射特征研究

作     者：任峰 阴生毅 卢志鹏 李阳 高向阳 金鹤 REN Feng;YIN Sheng-yi;LU Zhi-peng;LI Yang;GAO Xiang-yang;JIN He

作者机构：中国科学院电子学研究所高功率微波源与技术实验室北京100190 中国科学院大学北京100039 

出 版 物：《真空电子技术》 (Vacuum Electronics)

年 卷 期：2019年第32卷第3期

页      面：33-37页

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：国家重点研发计划(批准号:2018YFB1105200) 

主　　题：热扩散阴极 光发射电子显微镜 热发射电子显微镜 

摘      要：在微米尺度开展热扩散阴极热电子发射特征研究,对了解阴极电子发射过程和理解阴极发射机理有一定的参考价值。本文利用深紫外激光光发射/热发射电子显微镜系统,对浸渍钡钨阴极、覆膜浸渍扩散阴极、浸渍钪酸盐阴极以及新型浸渍钪型阴极,开展了光电子、热电子显微成像分析。结果显示,浸渍钡钨阴极的热电子发射区域主要位于表面局部孔隙中;覆膜浸渍扩散阴极的电子发射区域沿孔隙向覆膜的钨颗粒表面延伸,阴极发射面积明显增加;浸渍钪酸盐阴极与新型浸渍钪型阴极表面拥有一定数量的高发射点,浸渍钪酸盐阴极的高发射点几乎都分布在阴极表面的钨颗粒边缘,而新型浸渍钪型阴极的高发射点不仅存在于钨颗粒边缘,同时也出现在部分钨颗粒表面。