萘酞菁LB膜取向液晶研究

作     者：吕瑞波 徐克寿 张舒雁 顾建华 陆祖宏 

作者机构：复旦大学物理系 东南大学分子与生物分子电子学开放实验室南京210096 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：1999年第48卷第12期

页      面：2289-2298页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

主　　题：取向构象排列 萘酞菁 LB膜 液晶 

摘      要：利用二（３叔丁基硅氧基） 萘酞菁硅（ＳｉＮｃ） ＬａｎｇｍｕｉｒＢｌｏｄｇｅｔｔ （ＬＢ） 膜对丝状液晶的定向进行了研究，发现在不同膜压下沉积的ＳｉＮｃ ＬＢ 膜具有不同的定向效果．在１５ ｍ Ｎ／ｍ 低膜压下沉积的ＬＢ 膜上丝状液晶主要呈沿膜面水平排列，而３０ ｍ Ｎ／ ｍ 高膜压下沉积的ＬＢ 膜则取垂直膜面取向．原子力显微镜（ＡＦＭ） 对相应的ＬＢ 单层膜和多层膜进行的分子尺度上的形貌研究发现，高膜压条件下ＳｉＮｃ 分子以分离的单体或聚集体形式非连续地在基片上呈线性堆积排列，形成一定的分子“纳米线，并且大环平面垂直于基片表面和挂膜方向．相邻线性堆积和排列的ＳｉＮｃ 分子线间存在一定分子尺度的“沟槽．在低膜压条件下沉积的ＬＢ膜上也观察到了相似的现象，但大环平面有相当一部分以倾斜或平躺的方式存在而不再以垂直基片表面为主要排列方式．