TEXTOR托卡马克上磁涨落水平的研究(英文)

作     者：杨鑫 刘娇娇 高天梅 李梅 石跃江 巨洪军 竹锦霞 梁红飞 蔡武德 陈忠勇 X.Yang;J.J.Liu;T.M.Gao;M.Li;Y.J.Shi;H.J.Ju;J.X.Zhu;H.F.Liang;W.D.Cai;Z.Y.Chen

作者机构：云南师范大学物电学院云南昆明650092 可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室云南昆明650092 中科院等离子体物理研究所安徽合肥230031 

出 版 物：《云南师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Yunnan Normal University:Natural Sciences Edition)

年 卷 期：2009年第29卷第4期

页      面：50-53页

学科分类：080904[工学-电磁场与微波技术] 070208[理学-无线电物理] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：教育部科学技术研究重点资助项目(208129) 第十一届霍英东青年教师基金资助项目(111006) 云南省自然科学基金资助项目(2007A044M) 

主　　题：逃逸电子 磁涨落 

摘      要：利用逃逸电子的输运来诊断TEXTOR托卡马克上等离子体大破裂下的磁涨落水平。TEXTOR托卡马克采用包含产生逃逸影响的零维模型模拟了等离子体大破裂下的电流演化.根据模型参数-逃逸电子的损失速率,我们得到了TEXTOR托卡马克上的磁涨落水平。该磁涨落水平大约在10-5量级,磁涨落水平随注入等离子体中原子数目的增加而增强。