硅基VO_2纳米薄膜光致绝缘体—金属相变的THz时域频谱研究

作     者：王昌雷 田震 邢岐荣 谷建强 刘丰 胡明列 柴路 王清月 Wang Chang-Lei;Tian Zhen;Xing Qi-Rong;Gu Jian-Qiang;Liu Feng;Hu Ming-Lie;Chai Lu;Wang Qing-Yue

作者机构：天津大学精密仪器与光电子工程学院超快激光研究室天津300072 天津大学精密仪器与光电子工程学院THz中心天津300072 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2010年第59卷第11期

页      面：7857-7862页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310408) 天津市科技支撑项目专项基金(批准号:8ZCKFZC28000) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:200800560026) 天津大学"985"工程和应用基础及前沿技术研究计划(批准号:08JCZDJC17500)资助的课题~~ 

主　　题：二氧化钒 光致相变 Drude模型 THz时域频谱技术 

摘      要：利用THz时域频谱技术(THz-TDS)研究了硅基二氧化钒(VO2)纳米薄膜的光致绝缘体—金属相变特性.在连续光激发下前后,观察到了非常明显的THz透过率变化,并通过薄膜近似计算出了THz波段金属态VO2薄膜的电导率.根据实验结果建立了金属态VO2薄膜的等效Drude模型,得到了复电导率,复电容率以及复折射率等相关的基本参数,并通过基于时域有限积分法模拟了THz波穿透硅基金属态VO2薄膜的过程,验证了所建立的模型的正确性,为研究VO2薄膜的相变特性以及VO2薄膜在THz波段的应用提供了参考.