HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究

作     者：陈贵宾 陆卫 蔡炜颖 李志锋 陈效双 胡晓宁 何力 沈学础 Chen Gui-Bin 1)2) Lu Wei 1) Cai Wei-Ying 1) Li Zhi-Feng 1) Chen Xiao-Shuang 1) Hu Xiao-Ning 1) He Li 1) Shen Xue-Chu 1) 1)(State Key Laboratory for Infrared Physics,Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China) 2)(Joint Open Laboratory for Ion Beam,Shanghai Institute of Microsystem and Information Techniques,Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050,China)

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2004年第53卷第3期

页      面：911-914页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 68和 60 2 44 0 0 2 ) 国家重点基础研究项目 (批准号 :G19980 614 0 4)资助的课题~~ 

主　　题：碲镉汞薄膜 红外探测器 离子注入 分子束外延 p-n结 暗电流特性 

摘      要：在中波响应波段的p型Hg0 70 9Cd0 2 91 Te(MCT)分子束外延生长薄膜上 ,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积 (5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n_op_p结 .通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流 电压特性和对零偏微分电阻R0 分析 ,观测到p_n结的性能与硼离子注入剂量明显的依赖关系 .在另一片薄膜材料(镉组分值为 0 2 74 3)上通过该方法获得R0