0.5μm部分耗尽SOI MOSFET中的寄生双极效应

作     者：洪根深 顾爱军 HONG Genshen;GU Aijun

作者机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2012年第32卷第2期

页      面：131-134页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

主　　题：绝缘体上硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 双极效应 NPN晶体管 抗辐射 

摘      要：0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包括NMOSFET的栅上电压、漏端电压和体接触等,尤其以体接触最为关键。在器件处于浮体状态时,0.5μm SOI NMOSFET的寄生双极器件很容易被触发,导致单管闭锁。因此,在设计抗辐射SOI电路时,需要尽量降低SOI NMOSFET寄生双极效应,以提高电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。