准二维无序系统的电子结构
The electronic structure of quasi-two-dimensional disordered systems作者机构:中南大学物理科学与技术学院长沙410083
出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期:2006年第55卷第5期
页 面:2492-2497页
核心收录:
学科分类:080805[工学-电工理论与新技术] 080904[工学-电磁场与微波技术] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学]
基 金:教育部高等学校博士学科点专项基金(批准号:20020533001) 湖南省自然科学基金(批准号:05JJ40135) 中南大学文理基金(批准号:0601052)资助的课题
摘 要:对形如Nt×Nl型准二维无序系统,只考虑格点之间的最近邻跳跃积分,采用特殊的格点编号方案,在单电子近似下,系统的哈密顿量可表示为简明对称矩阵,借助豪斯荷尔德变换将其约化为对称三对角矩阵,再利用负本征值理论及传输矩阵等方法,对系统态密度、局域长度及电导等电子结构特性进行数值计算.重点研究了准一维四平行链和五平行链无序系统,将结果与一维单链、准一维双链及三链系统进行对比,发现随维度的增加,系统的能带有所展宽,能态密度分布发生很大的变化,其峰值数量呈偶数规律增加.并且在能带中心处存在有局域长度大于系统大小的扩展态,处于这些态下的系统具有较大电导.从单链到多链,相当于扩大了系统的关联范围,使系统出现了类似非对角长程关联的行为.