一种多模式高瞬态响应无片外电容LDO的设计

作     者：丁玲 李长猛 DING Ling;LI Chang-meng

作者机构：北京华大九天软件有限公司北京100102 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2019年第28卷第4期

页      面：53-58页

学科分类：080801[工学-电机与电器] 0808[工学-电气工程] 08[工学] 

主　　题：无片外电容LDO 高瞬态响应 模式切换 低功耗 

摘      要：对于便携式电子产品而言,LDO的封装尺寸小,体积和成本小,并且LDO线性稳压器具有提供多样化输出电压的功能,使相互间无干扰等优点。在市场竞争日趋激烈和产品更新换代快的前提,使得短的设计周期的产品变得很重要,LDO正好具有设计周期短的特点。由于SOC集成电路芯片对面积和成本要求,所以无片外电容的LDO成为发展的趋势,负载电容集成在芯片内部,会比有片外电容的LDO少封装pin角,不需要电容的分立器件,但是没有负载电容这种储能器件,瞬态响应成为设计的难点,所以高瞬态响应的LDO是一种研究的方向,本文提出了一种高瞬态响应的LDO,并同时能分模式工作来降低LDO的自身功耗。