咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >调制溅射功率对掺镓氧化锌薄膜光电性能影响 收藏

调制溅射功率对掺镓氧化锌薄膜光电性能影响

Influence of Sputtering Power Modulation on the Photoelectric Properties of Ga-doped ZnO Thin Films

作     者:张志秦 胡跃辉 张效华 胡克艳 陈义川 朱文均 帅伟强 劳子轩 ZHANG Zhiqing;HU Yuehui;ZHANG Xiaohua;HU Keyan;CHEN Yichuan;ZHU Wenjun;SHUAI Weiqiang;LAO Zixuan

作者机构:景德镇陶瓷大学机械电子工程学院江西景德镇333403 

出 版 物:《陶瓷学报》 (Journal of Ceramics)

年 卷 期:2019年第40卷第2期

页      面:186-190页

学科分类:080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家自然科学基金(6146005) 江西省科技厅重点研发计划项目(20171BBE50053) 江西省主要学科科学带头人项目(20123BCB22002) 

主  题:溅射功率 晶粒尺寸 方阻 透光性 

摘      要:使用射频磁控溅射法在石英衬底上制备ZnO掺Ga薄膜(GZO),通过调制不同的溅射功率制备GZO薄膜,研究了溅射功率对GZO薄膜光电学性能的影响。对不同溅射功率下的GZO薄膜进行X射线衍射、扫描电镜(SEM)、内应力、紫外可见光光谱、光致发光谱分析和电学性能分析。结果表明:随着溅射功率的提高,GZO薄膜保持良好的C轴择优取向;薄膜结晶度增加,晶界减少,晶粒尺寸增大;透光性减小;薄膜缺陷降低;薄膜表面方块电阻下降。

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分