调制溅射功率对掺镓氧化锌薄膜光电性能影响
Influence of Sputtering Power Modulation on the Photoelectric Properties of Ga-doped ZnO Thin Films作者机构:景德镇陶瓷大学机械电子工程学院江西景德镇333403
出 版 物:《陶瓷学报》 (Journal of Ceramics)
年 卷 期:2019年第40卷第2期
页 面:186-190页
学科分类:080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)]
基 金:国家自然科学基金(6146005) 江西省科技厅重点研发计划项目(20171BBE50053) 江西省主要学科科学带头人项目(20123BCB22002)
摘 要:使用射频磁控溅射法在石英衬底上制备ZnO掺Ga薄膜(GZO),通过调制不同的溅射功率制备GZO薄膜,研究了溅射功率对GZO薄膜光电学性能的影响。对不同溅射功率下的GZO薄膜进行X射线衍射、扫描电镜(SEM)、内应力、紫外可见光光谱、光致发光谱分析和电学性能分析。结果表明:随着溅射功率的提高,GZO薄膜保持良好的C轴择优取向;薄膜结晶度增加,晶界减少,晶粒尺寸增大;透光性减小;薄膜缺陷降低;薄膜表面方块电阻下降。