黄铜矿型三元合金CuGaTe_2的热电性能

作     者：李亚鹏 孟庆森 周红 杨江锋 崔教林 LI Ya-peng;MENG Qing-sen;ZHOU Hong;YANG Jiang-feng;CUI Jiao-lin

作者机构：太原理工大学材料科学与工程学院山西太原030024 中国矿业大学材料科学与工程学院江苏徐州030024 宁波工程学院材料工程研究所浙江宁波315016 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2013年第44卷第4期

页      面：552-554,558页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51171084 50871056) 宁波市自然科学基金资助项目(2011A610093) 宁波市国际合作资助项目(2011D10012) 

主　　题：热电性能 黄铜矿型三元合金CuGaTe2 带隙宽度 

摘      要：利用放电等离子烧结技术制备了三元半导体CuGaTe2。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGaTe2,带隙宽度(Eg)约为1.0eV,与Ga2Te3(1.65eV)的带隙相比明显变窄。在701K时电导率达到1.6×104/(Ω.m)。电导率的显著提高与带隙变窄密切相关。晶格热导率占总热导率(κ)的主要部分,κ值由室温时的3.64W/(m.K)降低到701K时的1.1W/(m.K),并基本符合∞T-1关系,即声子散射基本受Umklapp过程控制。在701K时该三元化合物的最大热电优值ZT为0.49,而Ga2Te3在860K时的最大ZT值为0.16。