SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比

作     者：周郁明 刘航志 杨婷婷 陈兆权 ZHOU Yu-ming;LIU Hang-zhi;YANG Ting-ting;CHEN Zhao-quan

作者机构：安徽工业大学电力电子与运动控制安徽省重点实验室安徽马鞍山243002 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2019年第47卷第3期

页      面：726-733页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(No.11575003) 安徽高校自然科学研究重点项目(No.KJ2016A805) 

主　　题：SiC JFET SiC MOSFET 失效 迁移率 泄漏电流 短路 

摘      要：建立了两种碳化硅(SiC)器件JFET和MOSFET的失效模型.失效模型是在传统的电路模型的基础上引入了额外附加的泄漏电流,其中,SiC JFET是在漏源极引入了泄漏电流,SiC MOSFET是在漏源极和栅极引入了泄漏电流;同时,为了体现温度和电场强度与失效的关系,用与温度和电场强度相关的沟道载流子迁移率代替了传统电路模型所采用的常数迁移率.有关文献的实验结果和半导体器件的计算机模拟(Technology Computer Aided Design,TCAD)验证了两种SiC器件失效模型的准确性.所建立的失效模型能够对比SiC JFET和SiC MOSFET的短路特性.