偏场下薄膜体声波谐振器频率偏移的摄动分析
Perturbation analysis of frequency shift in a thin film bulk acoustic wave resonator under biasing field作者机构:西南科技大学信息工程学院四川绵阳621010 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900
出 版 物:《中国测试》 (China Measurement & Test)
年 卷 期:2019年第45卷第3期
页 面:12-17页
学科分类:08[工学] 080202[工学-机械电子工程] 0802[工学-机械工程]
基 金:国家自然科学基金(61574131) 中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金项目(2014ZA001)
摘 要:为准确预测测量力、热场的薄膜体声波谐振器(FBAR)传感器的灵敏度,采用叠加于有限偏场之上的小增量场理论描述,提出一种摄动与有限元联合求解方法。该方法利用COMSOL有限元软件计算FBAR传感器受外界载荷下其压电层AlN的平均偏置应力,进一步在COMSOL中计算FBAR的谐振频率与相应的振型,将有限元的计算数据代入摄动积分公式中,得到FBAR传感器的频率灵敏度。并以一个圆膜片FBAR为案例,介绍该方法用于计算圆膜片FBAR频率-集中力灵敏度的详细过程。采用摄动与有限元联合求解方法得到的频率灵敏度为41.3 MHz/N,与文献报道的实验结果 50 MHz/N接近,验证了方法的可行性。