Ga_xIn_(1-x)N输运性质的温度特性的数值模拟
NUMERICAL STUDY ON TEMPERATURE DEPENDENCE OF ELECTRON TRANSPORT IN Ga_xIN_(1-x)N作者机构：清华大学工程力学系北京100084
出 版 物：《工程热物理学报》 (Journal of Engineering Thermophysics)
年 卷 期：2008年第29卷第10期
页 面：1719-1721页
核心收录：
学科分类：080701[工学-工程热物理] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理]
基 金：国家自然科学基金面上项目资助(No.50376025)
摘 要：利用多粒子Monte Carlo方法对含位错Ga_xIn_(1-x)N材料的输运性质进行了研究,计算表明材料的漂移速度随温度升高而降低,InN的漂移速度的温度特性优于***和InN的迁移率在相同温度范围内随温度的变化趋势不同,同时位错密度对材料迁移率的温度特性影响较大。
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