非对称异质波导半导体激光器结构
An asymmetric heterostructure waveguide structure for semiconductor lasers作者机构：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022 吉林大学物理学院吉林长春130023
出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)
年 卷 期：2015年第34卷第5期
页 面：613-618页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
主 题：非对称异质波导结构 电学特性 1060nm半导体激光器
摘 要：提出了一种非对称异质波导半导体激光器外延结构,即通过优化选择材料体系和结构厚度,对器件外延层的P侧限制结构和N侧限制结构分别设计,从而降低器件的电压损耗,使其满足高输出功率以及高的电光转换效率的要求.从载流子的输运和限制等微观机制出发,对器件的主要输出特性进行了理论分析和数值模拟,并以此为根据设计和制作了一种1060 nm In Ga As/Ga As单量子阱非对称异质波导结构半导体激光器,并对器件的主要输出特性进行了测试.实验结果表明,非对称异质结构是降低器件的电压降、增大限制结构对注入载流子的限制,提高半导体激光器电光转换效率的有效措施.
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