一种基于MEMS技术的冗余Pt温度传感器研究

作     者：姜国光 段成丽 张洪泉 JIANG Guo-guang;DUAN Cheng-li;ZHANG Hong-quan

作者机构：中国电子科技集团公司第四十九研究所黑龙江哈尔滨150001 中国国防科技信息中心北京100142 

出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期：2012年第31卷第7期

页      面：23-25,29页

核心收录：

学科分类：080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60971020) 国家高技术研究发展计划资助项目(2006AA040101) 

主　　题：温度传感器 冗余设计 响应时间 可靠寿命 

摘      要：为了提高Pt温度传感器的响应时间和可靠性水平,设计了一种MEMS冗余结构的新型温度传感器。结构基体采用可微加工0.1 mm厚的γ-Al2O3陶瓷;敏感薄膜由磁控溅射沉积而成,并采用离子束刻蚀方法加工成标准阻值。分析和测试表明:传感器输出与温度变化呈线性关系,空气状态下的90%响应时间小于60 s,在-20～180℃温区内非线性小于0.01%。采用二单元冗余设计的并联工作方式可有效提高传感器的可靠水平。