In2Ge2O7薄膜制备及其紫外光敏特性研究
Preparation and Ultraviolet Photoresponse of In_2Ge_2O_7 Thin Films作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054
出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)
年 卷 期：2012年第33卷第2期
页 面：204-206页
主 题：In2Ge2O7薄膜 碳还原法 紫外探测器
摘 要：以In2O3和GeO2为原料,采用碳还原法制备了In2Ge2O7多晶薄膜,利用XRD和SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征。对基于In2Ge2O7薄膜的金属-半导体-金属(MSM)紫外探测器进行了紫外光电导特性测量,结果显示:在波长为250nm的紫外光照射下,在5V偏压下,器件的光电流为727μA(暗电流为12μA),光响应度达到262.9A.W-1,光响应上升时间约为67s,下降时间约为15s。分析认为较长的响应时间是由于内部的缺陷与位错造成的。初步研究结果表明:In2Ge2O7薄膜可以作为一种良好的日盲紫外探测材料。
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