基于SiC MOSFET的谐振软开关等离子体电源

作     者：王振民 吴健文 范文艳 叶春显 WANG Zhenmin;WU Jianwen;FAN Wenyan;YE Chunxian

作者机构：华南理工大学机械与汽车工程学院广东广州510640 深圳市鹏源电子有限公司广东深圳518000 

出 版 物：《华南理工大学学报（自然科学版）》 (Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2019年第47卷第1期

页      面：1-6页

核心收录：

学科分类：0810[工学-信息与通信工程] 080503[工学-材料加工工程] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0802[工学-机械工程] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）] 080201[工学-机械制造及其自动化] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51875212) 广东省科技计划项目(2018A030313192 2017B090901023 2016B090927008 ) 广州市国际合作项目(201807010035)~~ 

主　　题：等离子体电源 谐振变换器 SiCMOSFET 功率密度 效率 

摘      要：利用SiC MOSFET能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率.为推动大功率等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型SiC功率器件的全桥谐振变换器.该谐振变换器的主电路采用LLC Zero Voltage Switching(ZVS)拓扑结构,可将谐振换流频率范围增大至260～310 kHz.设计的高频高压全桥LLC ZVS谐振变换器样机的额定输出功率为8 kW,输出电压为270 V.对所研制的8 kW级SiC MOSFET全桥LLC ZVS谐振变换器样机的驱动性能、换流过程、温升以及效率进行了测试,结果表明,研制的谐振软开关等离子体电源性能优良,工作稳定可靠,效率和功率密度均优于使用传统Si MOSFET的LLC谐振变换器.