大功率半导体器件的工艺现状
The Present State of the Art in High-Power Semiconductor Devices作者机构：日
出 版 物：《变流技术与电力牵引》 (Converter Technology & Electric Traction)
年 卷 期：2002年第2期
页 面：11-17页
学科分类：08[工学] 0823[工学-交通运输工程]
主 题：GCT GTO 大功率半导体器件 HVIGBT 晶闸管
摘 要：90年代中期,采用6英寸区融(FZ)硅片(开发于1993年)和硅片工艺设计(开发于90年代)新技术,增加了晶闸管和GTO容量。由于功率器件容量增大,人们须考虑的是如何用自关断器件使功率电子达到更高的性能,进而扩展应用领域。
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