用液相外延法生长3～7μm波段InAs/InAs_(1-y)Sb_y及其光学和电学性质

作     者：高玉竹 龚秀英 Makino T Yamaguchi T Rowell N L 

作者机构：同济大学电子与信息工程学院上海201804 Hamamatsu Photonics K.K.5000 HirakuchiHamakita 434-8601Japan Research Institute of ElectronicsShizuoka University3-5-1 JohokuHamamatsu 432-8011Japan 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2012年第23卷第2期

页      面：286-290页

核心收录：

学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学] 070301[理学-无机化学] 

基　　金：国家自然科学基金(60777022)资助项目 

主　　题：InAs/InAsSb 液相外延(LPE) 光学性质 电学性质 

摘      要：用液相外延(LPE)法在InAs衬底上生长了3～7μm波段的InAs1-ySby外延层,研究了外延多层的组份与禁带宽度和晶格常数的关系。用光学显微镜、傅立叶变换红外(FTIR)透射、光荧光(PL)谱测试以及偏振光椭圆仪研究了外延材料的光学特性。电学性质是将计算值与实测有效霍尔(Hall)参数的厚度关系拟合得到的。结果表明,本文生长的材料在中红外光伏型探测器上具有良好的应用前景。