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电子束蒸发法制备Co/Cu多层膜中巨磁电阻效应的研究

INVESTIGATION OF GIANT MAGNETORESISTANCE IN Co/Cu MULTILAYERS FABRICATEDBY ELECTRON BEAM EVAPORATION

作     者:沈鸿烈 沈勤我 严健生 沈德芳 邹世昌 

作者机构:中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 

出 版 物:《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期:1997年第3卷第4期

页      面:229-235页

学科分类:08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:上海市应用材料研究与发展基金 

主  题:巨磁电阻效应 多层膜 电子束蒸发   

摘      要:研究了超高真空电子束蒸发法制备的Co/Cu多层膜中过渡层Cr、磁性金属Co层和非磁性金属Cu层厚度等对巨磁电阻效应的影响。结果表明:适当的Cr过渡层厚度有利于获得大的巨磁电阻效应,但过渡层太厚时由于其分流效应又导致巨磁电阻效应减小;通过优化Co和Cu层厚度,单个Co/Cu/Co三明治结构中巨磁电阻效应可达7%;适当增加重复周期后,可获得室温下饱和磁场小于250Oe,巨磁电阻效应值达11%的Co/Cu多层膜结构,其热稳定性高于400℃。

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