电吸收调制激光器集成芯片的高频测试

作     者：侯广辉 温继敏 黄亨沛 王欣 刘宇 谢亮 祝宁华 HOU Guang-hui;WEN Ji-min;HUANG Heng-pei;WANG Xin;LIU Yu;XIE Liang;ZHU Ning-hua

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：2007年第34卷第10期

页      面：1427-1430页

核心收录：

学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金(60510173 60536010 90401025)资助项目 

主　　题：光电子学 电吸收调制器 测试 散射参量 

摘      要：提出了一种精确测试电吸收调制激光器(EML)集成芯片高频特性的方法。待测芯片制作在带有微带线的热沉上,同时采用光探测器作为光电转换器,二者构成待测双口网络。被测双口网络的一端是共面线,使用微波探针作为测试夹具加载信号,另一端是同轴线,两个测试端口不同,不能采用简单的同轴校准方法校准待测系统。测试过程中采用扩展的开路-短路-负载(OSL)误差校准技术对集成器件的测试夹具微波探针进行校准,扣除了测试中使用的微波探针对集成光源高频特性的影响,同时采用光外差的方法扣除了高速光探测器的频率响应对结果的影响,得到集成光源散射参数的精确测试结果。