In:Mn:Fe:LiNbO_3晶体光存储性能研究

作     者：王锐 周楠 杨春晖 刘欣荣 徐玉恒 WANG Rui;ZHOU Nan;YANG Chun-hui;LIU Xin-rong;XU Yu-heng

作者机构：哈尔滨工业大学应用化学系黑龙江哈尔滨150001 

出 版 物：《材料科学与工艺》 (Materials Science and Technology)

年 卷 期：2006年第14卷第3期

页      面：279-281,286页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0803[工学-光学工程] 0702[理学-物理学] 

基　　金：哈尔滨市科技攻关资助项目(2005AA5CG058) 

主　　题：In:Mn:Fe:LiNb03晶体 响应时间 擦除时间 动态范围 

摘      要：在Mn∶Fe∶LiNbO3晶体中加入抗光折变元素铟,使用Czochralski法生长In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化还原处理,测试了晶体紫外-可见吸收光谱.结果表明:铟的掺入使晶体吸收边发生移动,生长态晶体吸收边稍向紫移,氧化处理晶体吸收边紫移程度较大,还原处理晶体吸收边红移.通过二波耦合实验,使用输出功率30 mW的He-Ne激光器进行单光写入与擦除实验,测试了晶体记录过程中的响应时间与擦除时间.研究结果表明:In3+的掺入可通过提高擦除时间与响应时间之比,较大地提高晶体的动态范围;用生长态摩尔分数1%的In∶Mn∶Fe∶LiNbO3晶体进行擦除时,衍射效率达到30%,衍射效率不随时间变化.