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新型金属卟啉共轭聚合物的合成与光电流响应

作     者:赵金玲 李滨松 薄志山 

作者机构:中国科学院化学研究所高分子物理与化学国家重点实验室北京100080 

出 版 物:《科学通报》 (Chinese Science Bulletin)

年 卷 期:2006年第51卷第5期

页      面:524-531页

核心收录:

学科分类:08[工学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 

基  金:国家自然科学基金(批准号:20225415,20423003和20374053) 国家基础研究发展规划(批准号:2002CB613401)资助项目. 

主  题:卟啉 共轭聚合物 光电流响应 

摘      要:采用Sonogashira偶联反应,制备了几种以芴或咔唑为间隔基的新型金属卟啉共轭聚合物.这些新型金属卟啉共轭聚合物具有较高的分子量、很好的溶解性和成膜性.其光谱性质和光电流响应结果表明,聚合物中卟啉的含量是影响卟啉聚合物光电流响应的主要因素,且咔唑基团的引入有利于卟啉聚合物光电流的产生.

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