非线性负阻抗实现中P-N结电容效应的影响
The effect produced by the capacitance across the P-N junction in the realization of negative impedance作者机构：西安电子科技大学检测与仪器仪表系
出 版 物：《西安电子科技大学学报》 (Journal of Xidian University)
年 卷 期：1993年第20卷第4期
页 面：105-110页
核心收录：
学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：在负阻抗的模拟实现中,由于所用集成运算放大器内部及外部分立元件二极管、三极管 P-N 结结电容的影响,往往使实现的负阻抗的伏安特性出现滞回现象。这在非线性负阻抗的模拟实现中,更为突出。该文以非线性负电感的模拟实现为例,对此现象作了详细的分析。
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