PbTe中红外光伏探测器

作     者：魏晓东 蔡春峰 张兵坡 胡炼 吴惠桢 张永刚 冯靖文 林加木 林春 方维政 戴宁 WEI Xiao-Dong;CAI Chun-Feng;ZHANG Bing-Po;HU Lian;WU Hui-Zhen;ZHANG Yong-Gang;FENG Jing-Wen;LIN Jia-Mu;LIN Chun;FANG Wei-Zheng;DAI Ning

作者机构：浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙江杭州310027 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院上海技术物理研究所上海200083 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2011年第30卷第4期

页      面：293-296页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家自然科学基金(10974174 91021020) 国家重大基础研究计划(2011CB925603) 浙江省自然科学基金(Z6100117) 

主　　题：PbTe 光伏探测器 中红外 

摘      要：利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘保护层和In薄膜做电极,制成PbTe结型中红外光伏探测器.在77 K温度下,器件响应波长为1.5～5.5μm,实验测量的探测率为2×1010 ***1/2W-1,由R0A值计算的探测器峰值探测率达到4.35×1010 ***1/2W-1.随着温度的升高,截止波长发生蓝移,探测率降低.分析了影响探测器探测率和R0A值的主要因素.