Ge/Si量子点的控制生长

作     者：潘红星 王茺 杨杰 张学贵 靳映霞 杨宇 PAN Hong-Xing;WANG Chong;YANG Jie;ZHANG Xue-Gui;JIN Ying-Xia;YANG Yu

作者机构：云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所云南昆明650091 昆明冶研新材料股份有限公司云南昆明650031 昆明理工大学冶金与能源工程学院云南昆明650093 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2012年第31卷第5期

页      面：416-420,454页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金(10990103 10964106) 云南省自然基金重点资助项目(2008CC012)~~ 

主　　题：硅缓冲层 锗量子点 离子束溅射 

摘      要：采用离子束溅射技术,在生长了Si缓冲层的硅晶片上制备了一系列Ge量子点样品.借助原子力显微镜(AFM)和Raman光谱等测试手段研究了Ge/Si量子点生长密度、尺寸及排列均匀性的演变规律.结果表明,改变Si缓冲层厚度及其生长方式,可以有效控制量子点的尺寸、均匀性和密度.随缓冲层厚度增大,量子点密度先增大后减小,停顿生长有利于提高缓冲层结晶性,从而提高量子点的密度,可以达到1.9×1010cm-2.还研究了Si缓冲层在Ge量子点生长过程中的作用,并提出了量子点的生长模型.