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横电磁波室试验场强评估的影响因素分析

Influence Factors Analysis on Calibration of the Test Field in TEM Cell

作     者:胡玉生 朱剑英 HU Yu-sheng;ZHU Jian-ying

作者机构:南京航空航天大学机电学院 

出 版 物:《计量学报》 (Acta Metrologica Sinica)

年 卷 期:2008年第29卷第4期

页      面:365-368页

核心收录:

学科分类:0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 0804[工学-仪器科学与技术] 080402[工学-测试计量技术及仪器] 0703[理学-化学] 

基  金:福建省青年科技人才创新项目(2004J025) 

主  题:计量学 横电磁波室 边界元法 场强校准 

摘      要:研究了横电磁波室试验场强的评估与校准技术。采用边界元法分析了受试设备(EUT)的尺寸、位置、形状和介电常数等因素对试验场强的影响,给出了金属EUT和电介质EUT受试场强的变化曲线和变化规律。计算结果表明:当工作频率低于第一阶高次模截止频率时,EUT实际承受场强与常用近似法所得场强的最大差异达6.5dB;电介质EUT与金属EUT受试场强的差异小于2 dB;EUT的位置和尺寸是试验场强评估的重要影响因素。计算结果有助于减小电子设备电磁场辐射敏感度试验结果的不确定度。

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