脉冲激光沉积制备Ge纳米薄膜的研究

作     者：程成 薛催岭 宋仁国 

作者机构：浙江工业大学应用物理系浙江杭州310023 浙江工业大学教育部机械制造与自动化重点实验室浙江杭州310014 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2009年第20卷第2期

页      面：204-207页

核心收录：

学科分类：0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60777023) 浙江省自然科学重点基金资助项目(Z407371) 

主　　题：脉冲激光沉积 Ge 纳米薄膜 微观结构 生长机理 

摘      要：利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Ar环境下于Si基片上制备出Ge纳米薄膜。用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)观测了薄膜的微观结构和形貌,分析了它们随激光能量密度和衬底温度的变化情况。结果表明:Ge薄膜在室温下即可以结晶,其平均晶粒尺寸随脉冲激光能量密度的增大而增大。当脉冲激光能量密度为0.94 J/cm2时,所制备的薄膜由约13 nm的颗粒组成;当脉冲激光能量密度增大为1.31 J/cm2时,颗粒的平均尺寸增大为56 nm,且薄膜表面变得比较均匀。此外,当衬底温度从室温升到450℃过程中,晶粒平均尺寸随温度升高而增大。在实验基础上,对薄膜的生长机理进行了分析。