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科学2#CCD抗辐照性能实验研究

Science2#CCD Experimental Study of Anti-radiation Performance

作     者:赵大磊 吴岳雷 张博平 ZHAO Da-lei;WU Yue-lei;ZHANG Bo-ping

作者机构:西安交通大学核科学与技术学院西安710025 海军装备部军械保障部北京100841 国家环境保护部核与辐射安全中心北京100088 

出 版 物:《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)

年 卷 期:2011年第31卷第6期

页      面:676-679页

核心收录:

学科分类:0810[工学-信息与通信工程] 070207[理学-光学] 07[理学] 08[工学] 081002[工学-信号与信息处理] 0702[理学-物理学] 

主  题:CCD 辐照老化 中子成像 聚变诊断 

摘      要:介绍了用于辐射成像系统中关键部件科学2#CCD辐照考核实验的方法、实验装置以及该CCD辐照前后成像能力的变化,给出主要性能指标:CCD成像灰度,随辐照时间的变化函数曲线,在线获取了CCD在其辐射工作环境下其性能随时间变化情况。得出有关CCD抗辐照性能的初步结论。

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