立方氮化硼(c-BN)薄膜的光学带隙
Optical Band Gap of Cubic Boron Nitride (c-BN) Thin Films作者机构：北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室北京100022
出 版 物：《北京工业大学学报》 (Journal of Beijing University of Technology)
年 卷 期：2003年第29卷第3期
页 面：381-384页
核心收录：
基 金：国家自然科学基金(69876003 19874007)
摘 要：用两步射频溅射法在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶红外吸收谱标识;用紫外-可见分光光度计测量了沉积在石英片上的BN薄膜的透射光谱T_e(λ)和反射光谱R_e(λ),薄膜的厚度用台阶仪测得。由透射、反射光谱计算了薄膜的光吸收系数a,进而采用有效的中间形式,确定了氮化硼薄膜的光学带隙。结果表明:随着c-BN体积分数的增加,光学带隙随之增大。确定出的光学带隙和经验公式的计算结果相吻合。
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