BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究
Epitaxial Layer-by-Layer Growth of BST Series Ferroelectric Thin Films at Low Temperature作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054
出 版 物：《无机材料学报》 (Journal of Inorganic Materials)
年 卷 期：2004年第19卷第5期
页 面：1207-1211页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学]
摘 要：利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.
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