Defect Production in Si Irradiated with 750MeV Ar^+ Ions
Defect Production in Si Irradiated with 750MeV Ar￣+ Ions出 版 物：《IMP & HIRFL Annual Report》 (中国科学院近代物理研究所和兰州重离子研究装置年报（英文版）)
年 卷 期：1996年第1期
页 面：77-77页
学科分类：081704[工学-应用化学] 07[理学] 070304[理学-物理化学(含∶化学物理)] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 0703[理学-化学]
摘 要：ＤｅｆｅｃｔＰｒｏｄｕｃｔｉｏｎｉｎＳｉＩｒｒａｄｉａｔｅｄｗｉｔｈ７５０ＭｅＶＡｒ~＋Ｉｏｎｓ￥ＺｈｕＺｈｉｙｏｎｇ；ＬｉｕＣｈａｎｇｌｏｎｇ；ＨｏｕＭｉｎｇｄｏｎｇ；ＪｉｎＹｕｎｆａｎ；ＬｉＣｈａｎｇｌｉｎ；ＺｈａｎｇＣｈｏｎｇｈｏｎｇ；Ｗａｎｇ?..
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