偏压电极对KT-5C装置等离子体边缘的影响
INFLUENCE OF ELECTRODE BIASING ON EDGE PLASMA PARAMETERS IN THE KT-5C作者机构：中国科学技术大学近代物理系合肥230027
出 版 物：《核聚变与等离子体物理》 (Nuclear Fusion and Plasma Physics)
年 卷 期：2002年第22卷第1期
页 面：49-53页
核心收录：
学科分类：08[工学] 082701[工学-核能科学与工程] 0827[工学-核科学与技术]
基 金：国家自然科学基金资助项目 (196 35 0 2 0 196 75 0 36 19775 0 46 ) 教育部博士点基金资助项目 (95 35 80 6 980 3810 ) 中国科学院资助项目
主 题：偏压电极 极向流速度 环向电流 磁约束装置 等离子体 KT-5C装置 径向电场
摘 要：通过电极偏压来控制KT 5C装置边缘区等离子体的径向电场 ,发现在正偏压作用下 ,径向电场剖面由小的负阱状变成明显的山包结构 ,从而形成一个加强的E×B剪切层。剪切层附近的等离子体参数变陡 ,不仅等离子体极向流速度大大增加 ,而且其方向也由沿电子逆磁漂移方向改变为离子的逆磁漂移方向。这些变化导致等离子体边界横向输运被抑制。
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