温度对1．3μm InGaAsP半导体激光器增益特性的影响
Influence of Temperature on the Gain Characteristics of 1. 3μm InGaAsP Semiconductor Laser作者机构："区域光纤通信网与新型光通信系统"国家重点实验室光纤技术研究所
出 版 物：《上海交通大学学报》 (Journal of Shanghai Jiaotong University)
年 卷 期：1995年第29卷第6期
页 面：117-121页
核心收录：
学科分类：080901[工学-物理电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080401[工学-精密仪器及机械] 0804[工学-仪器科学与技术] 0803[工学-光学工程]
摘 要：使用计算机控制的测量系统，测量了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器的自发发射光谱，计算了增益谱，同时研究了最大增益与环境温度的依赖关系．利用实验结果对Ｌａｓｈｅｒ和Ｓｔｅｒｎ的简化分析模型作了拟合处理，得到发射复合系数与温度的依赖关系．
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