用Pendellosung条纹研究硅单晶中微缺陷
CHARACTERIZATION OF MICRO-DEFECTS IN SILICON SINGLE CRYSTALS BY ANALYZING THE PENDELLOSUNG FRINGES作者机构：中国科学院物理研究所
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：1994年第43卷第1期
页 面：78-83,T001页
核心收录：
学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：以Ｘ射线衍射统计动力学为基础，讨论了一种用Ｘ射线截面形貌图测定静态Ｄｅｂｙｅ－Ｗａｌｌｅｒ因子的方法．通过仔细分析截面形貌图中Ｐｅｎｄｅｌｌｓｕｎｇ干涉条纹振荡周期和强度的变化，得到了经热处理后的ＣＺ硅和ＭＣＺ硅单晶样品的静态Ｄｅｂｙｅ－Ｗａｌｌｅｒ因子，并求得样品中氧沉淀的浓度和平均尺寸．这种定量化的研究方法为揭示晶体中微缺陷的性质及形成机理提供了新途径．
维普期刊数据库
同方期刊数据库