Yb:YAG闪烁晶体的UV发光特性
UV Emission Properties of Yb:YAG Scintillation Crystal作者机构：中国科学院上海硅酸盐研究所上海200050
出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)
年 卷 期：2004年第33卷第5期
页 面：806-809页
核心收录：
主 题：掺镱闪烁晶体 紫外光光谱特性 电荷迁移发光 激发带 发射带
摘 要：通过对不同掺杂浓度Yb:YAG晶体的透过光谱、激发光谱、发射光谱和衰减时间的测量,研究了Yb:YAG晶体的UV发光特性和发光机制。Yb:YAG晶体在紫外波段具有宽的激发带和发射带。最强的发射峰位于320-350nm波长范围,此即为Yb:YAG晶体的闪烁发光峰;次强的发射峰位于500nm附近。Yb:YAG晶体的UV发光衰减时间小于***:YAG晶体的UV发光行为是电子从Yb3+离子的4f壳层向配体O2-的满壳层的分子轨道迁移的结果,属于电荷迁移(CT)发光。
维普期刊数据库
同方期刊数据库