基于Cu_xSi_yO阻变材料的RRAM抗总剂量辐照性能
Radiation Tolerance against TID Effect of Cu_xSi_yO-based RRAM作者机构：复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203
出 版 物：《复旦学报（自然科学版）》 (Journal of Fudan University：Natural Science)
年 卷 期：2013年第52卷第3期
页 面：292-296页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
基 金：国家"863"高技术研究发展计划资助项目(2008AA031401 2011AA010404) 国家自然科学基金资助项目(2011ZX02502) 上海市自然科学基金重点项目(12XD1400800)
主 题：阻变式随机存储器 总剂量辐照 CuxSiyO 60Coγ射线
摘 要：研究了基于CuxSiyO结构的阻变式随机存储器(RRAM)的抗总剂量辐照能力.存储器芯片置于钴源辐照室内,通过60 Co释放出的γ射线模拟空间辐照环境.在辐照总剂量达到3 000Gy的条件下,单元仍然可以保持原有的存储信息,高低阻态的阻值、写电压、良率等性能几乎没有任何衰减.良好的辐照特性使得RRAM有望在抗辐射领域中得到广泛应用.
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