采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究
Characteristic research of new type silicon magneto transistor manufactured by MEMS techniques作者机构：黑龙江大学电子工程学院黑龙江哈尔滨150080
出 版 物：《传感器技术》 (Journal of Transducer Technology)
年 卷 期：2004年第23卷第9期
页 面：86-88页
核心收录：
学科分类：080202[工学-机械电子工程] 08[工学] 0802[工学-机械工程]
摘 要：给出采用MEMS技术在硅片表面制作矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管的基本结构及灵敏度特性、电压-电流特性、磁电特性和温度特性,对新型硅磁敏三极管样品基本特性进行研究的结果表明:该新型硅磁敏三极管的集电极电流相对磁灵敏度较高,最大可达227%/T,具有负温度系数且温度系数较小。同时,给出影响新型硅磁敏三极管特性的基本因素。
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