一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备
MWECR-CVD System with a New Magnetic Field and Deposition of a-Si∶H Films作者机构：北京工业大学材料科学与工程学院北京100022
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：2004年第25卷第5期
页 面：530-534页
核心收录：
学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
基 金：国家重点基础研究发展规划资助项目 (No.G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~
摘 要：为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜 ,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比 ,薄膜沉积速度大幅度提高 ,沉积速度达到采用传统 RF-
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