Ge/Si超晶格喇曼谱研究
Raman Spectra Investigation on Ge/Si Superlattices作者机构：大学物理系北京100871 复旦大学表面物理实验室上海200433
出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)
年 卷 期：1991年第12卷第3期
页 面：188-192页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
摘 要：我们用喇曼光散射的方法,观察了应变层超晶格的折迭声学声子,从而验证了材料的超晶格多层结构.将实验中观察到的频率和理论计算值进行比较表明,所研究样品的标称值和喇曼实验是基本相符合的.根据光学限制模的频率移动,估算了超晶格样品中Ge层和Si层的应变分布.
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